Οπτική ίνα απλού τρόπου SiO2 μη μηδενικής διασποράς - Ίνα G.655/B4

Οπτική ίνα απλού τρόπου μετατοπισμένης μη μηδενικής διασποράς (NZDS) για συστήματα DWDM μεγάλων αποστάσεων και τηλεπικοινωνιακές εφαρμογές χαμηλής διασποράς.

Gina Gao

Ίνα G.655/B4

Πυρήνας Ίνας
Στρώμα Επένδυσης (Cladding)

Πρότυπο εκτέλεσης

GB/T9771.5-2008

Γεωμετρικά Μεγέθη

Διάμετρος πεδίου μόδου (1550nm): (8.0 ~ 11.0) ± 0.6µm
Διάμετρος στρώματος επένδυσης: 125 ± 1.0μm
Μη κυκλικότητα στρώματος επένδυσης: ≤ 1.0%
Ανοχή ομοκεντρικότητας πυρήνα/στρώματος επένδυσης: ≤ 0.6µm
Διάμετρος στρώματος επικάλυψης: 245 ± 10 μm (χωρίς χρωματισμό)
Ανοχή ομοκεντρικότητας επένδυσης/επικάλυψης: ≤ 12.5µm
Ακτίνα κάμψης: R ≥ 4m

Οπτική απόδοση & Απόδοση μετάδοσης

1. Συντελεστής Εξασθένησης

Τύπος \ Κατηγορία	1550nm	1625nm
Τύπος A	≤ 0.22 dB/km	≤ 0.27 dB/km
Τύπος B	≤ 0.25 dB/km	≤ 0.30 dB/km

2. Ονομαστική Εξασθένηση:

Ф60mm, 100 σπείρες
Τύπος A/B/C 1625nm ≤ 0.2dB
Τύπος D/E 1625nm ≤ 0.1dB

3. Μήκος κύματος αποκοπής

Μήκος κύματος αποκοπής καλωδίου σύνδεσης (λcj) ≤ 1450nm
Μήκος κύματος αποκοπής καλωδίου οπτικών ινών (λcc) ≤ 1450nm.

4. Διασπορά

Ζώνη διασποράς στη ζώνη συχνοτήτων C. Ζώνη μη μηδενικής διασποράς (nm) 1530 ≤ λmin ≤ λmax ≤ 1565,
Απόλυτη τιμή διασποράς της μη μηδενικής διασποράς:

Τύπος A, 0.1 ~ 6.0 PS/(nm·km),
Τύπος B, 1.0 ~ 10.0 PS/(nm·km) .

Συντελεστής διασποράς τρόπου πόλωσης (PMD):

Τύπος A/B ≤ 0.5ps √km,
Τύπος C/D/E ≤ 0.2ps √km.

Επικοινωνήστε μαζί μας

Οπτική ίνα απλού τρόπου με επικάλυψη προσαρμοσμένου SiO2 - Οπτική ίνα G.652/B1

Οπτική ίνα απλού τρόπου (single-mode) με επικάλυψη προσαρμοσμένου SiO2 για τηλεπικοινωνίες μεγάλων αποστάσεων και συστήματα μετάδοσης χαμηλών απωλειών και χαμηλής διασποράς.

Θωρακισμένο Θερμοστοιχείο

Θωρακισμένο θερμοστοιχείο με προστατευτικό περίβλημα για αξιόπιστη μέτρηση θερμοκρασίας σε σκληρά βιομηχανικά και εξωτερικά περιβάλλοντα.